IBM ha desarrollado el transistor de silicio ms rpido del mundo y en el que ha empleado su tecnologa SiGe, pilar para los diseos de sistemas basados en chips que combinen circuitos lgicos y circuitos inalmbricos de alta velocidad.
Corriendo a casi 350 GHz, incrementa hasta cuatro veces los niveles de rendimiento, adems de ser hasta un 65 por ciento ms veloz que los ltimos prototipos anunciados.
Del mismo modo, IBM asegura que el nuevo transistor de silicio lograr que los chips de comunicaciones corran a velocidades superiores a los 150 GHz en un plazo de dos aos, a lo que se une el importante ahorro de energa, lo que repercutir tambin en un menor coste en sistemas de comunicaciones y otros productos electrnicos.
Telfonos mviles y otros productos de comunicacin, son algunos de los dispositivos que utilizan la tecnologa SiGe, lo que contribuye a la rpida expansin de sta. As, un estudio de IC Insights estima que las ventas de esta tecnologa alcanzarn los 2.700 millones de dlares en 2006, frente a los 320 millones de dlares registrados en 2001, siendo IBM quien canalice el 80 por ciento del volumen de negocio.
IBM incrementa la velocidad de sus transistores
El nuevo transistor de IBM, basado en la tecnología SiGe, ofrece un rendimiento 4 veces superior a los actuales del mercado y es hasta un 65 por ciento más rápido que los últimos prototipos anunciados.
Publicado el 06 Nov 2002
![](https://img.computing.es/wp-content/uploads/2024/02/22103359/computing.png)
Temas
Canales
Artículo 1 de 4